Máy hàn điện tử BINLI- ZX7-200E-MẪU MỚI 2021

Máy hàn điện tử BINLI- ZX7-200E-MẪU MỚI 2021

*Mô tả sản phẩm :
- Sản phẩm máy hàn điện tử BINLI- 200E Sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ.Sử dụng được que hàn từ 1,6 - 4.0 ly, hàn được chấm boong que 4.0 ly cho mối hàn rất đẹp. Thích hợp với tất cả vật liệu hàn bằng sắt, công suất cực mạnh. Máy được các thợ hàn chuyên nghiệp ưa thích và được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, cơ sở hàn, thiết bị cơ khí, xe, tàu, Công ty quảng cáo.

- So với những dòng máy hàn cơ trước đây thì máy hàn điện tử hiện nay được ứng dụng công nghệ mới IGBT tiên tiến và hiện đại hơn. Vậy ưu điểm vượt trội của máy hàn công nghệ IGBT là gì?– Tiết kiệm điện hơn, dòng hàn ổn định– Mối hàn đẹp và sáng hơn,mối hàn ngấu và đều đẹp.– Trọng lượng nhẹ, sử dụng đơn giản

-Chiếc máy hàn que với thiết kế nhỏ gọn tiện lợi sử dụng, thích hợp với đi công trình Sử dụng công nghệ Inverter – IGBT, tần số 20 KHz, giảm đáng kể kích thước và trọng lượng của máy hàn.Thiết kế tiên tiến cung cấp nguồn điện phụ trợ, Tạo ra một phạm vi rộng lớn hơn của nguồn điện hàn.

- IGBT là gì?
IGBT viết tắt của cụm từ tiếng anh Insulated Gate Bipolar Transistor : Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực.IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏIGBT là một loại van công suất tuyệt vời. Khác với thysistor, IGBT cho phép bạn đóng cắt một cách vô tư bằng cách đặt điện áp điều khiển lên hai cực G và E. Điện áp ra đo được trên van rất đồng dạng với điện áp điều khiển. IGBT thường dùng trong các mạch biến tần hay các bộ băm xung áp một chiều. Driver của IGBT cũng sẵn có ở Việt Nam, nhưng giá cả thì hơi cao.

* Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
- Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.

*THÔNG SỐ KỸ THUẬT;
Loại máy:Máy hàn que
Điện áp ra: DC56V
Phạm vi điều chỉnh dòng hàn 205A
Vật liệu hàn sắt
Trọng lượng bao bì 6kg
Màn hình hiển thị LED
Đường kính que hàn3,2mm - 4mm
Phụ kiệnKìm hàn;Kẹp mass
Kích thước37cm x 24cm x 25cm
Nguồn điện áp 220V
Trọng lượng sản phẩm:4,5kg
Thương hiệu :BINLI
Sản xuất tại ; Trung Quốc
Bảo hành: 6