Máy Hàn Điện Tử 400A | May Han Que 400A


₫ 1.169.000

Sản phẩm Máy Hàn Điện Tử 400A | May Han Que 400A đang được mở bán với mức giá siêu tốt khi mua online, giao hàng online trên toàn quốc với chi phí tiết kiệm nhất,0 đã được bán ra kể từ lúc chào bán lần cuối cùng.Trên đây là số liệu về sản phẩm chúng tôi thống kê và gửi đến bạn, hi vọng với những gợi ý ở trên giúp bạn mua sắm tốt hơn tại Pricespy Việt Nam

Sản phẩm máy hàn điện tử Heter ARC - 400 Sử dụng công nghệ biến tần IGBT, tiết kiệm diện tích của máy biến áp chủ, nâng cao hiệu suất hàn lên đến 30%, bền hơn với mạch dò nhiệt và bảo vệ. Sử dụng được que hàn từ 1,6 - 3.2 ly, hàn được que 4.0 ly và hàn chấm boong que 5.0 cho mối hàn rất đẹp. Thích hợp với tất cả vật liệu hàn bằng sắt, công suất cực mạnh. Máy được các thợ hàn chuyên nghiệp ưa thích và được sử dụng rộng rãi trong xây dựng, cơ sở hàn, thiết bị cơ khí, xe, tàu, Công ty quảng cáo.
- So với những dòng máy hàn cơ trước đây thì máy hàn điện tử hiện nay được ứng dụng công nghệ mới IGBT tiên tiến và hiện đại hơn. Vậy ưu điểm vượt trội của máy hàn công nghệ IGBT là gì?
– Tiết kiệm điện hơn, dòng hàn ổn định
– Mối hàn đẹp và sáng hơn,mối hàn ngấu và đều đẹp.
– Trọng lượng nhẹ, dễ sử dụng

-Chiếc máy hàn que với thiết kế nhỏ gọn tiện lợi dễ sử dụng, thích hợp với đi công trình
Sử dụng công nghệ Inverter – IGBT, tần số 20 KHz, giảm đáng kể kích thước và trọng lượng của máy hàn.
Thiết kế tiên tiến cung cấp nguồn điện phụ trợ, Tạo ra một phạm vi rộng lớn hơn của nguồn điện hàn.
Cấu tạo và nguyên lý hoạt động
Cấu trúc mạch tương đương IGBT
Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.
Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng colle